臺(tái)積電2nm試產(chǎn)在即，功耗降低25-30%，2025年量產(chǎn)

臺(tái)積電一片3nm晶圓價(jià)格高達(dá)20000美元，成本極高，蘋(píng)果成為了臺(tái)積電3nm首位客戶，其它品牌仍然繼續(xù)使用4nm。如今臺(tái)積電2nm試產(chǎn)，蘋(píng)果仍然會(huì)首發(fā)嘗鮮。

據(jù)悉，臺(tái)積電2nm將首次采用全新環(huán)繞閘極(GAA)電晶體架構(gòu)，并為高速運(yùn)算(HPC)產(chǎn)品量身打造背面電軌設(shè)計(jì)，整體效能較前代將有大幅提升。

具體而言，對(duì)比上一代3nm工藝，臺(tái)積電2nm技術(shù)在相同功耗下速度提高了10-15%。而在相同速度下，2nm工藝的功耗降低了25-30%。

根據(jù)目前獲得的消息，臺(tái)積電2nm芯片制程研發(fā)進(jìn)度超出預(yù)期，如果一切順利，臺(tái)積電將在2025年開(kāi)始量產(chǎn)2nm產(chǎn)品。

2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵，它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓?，值得期待?/p>

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