三星今天(11月7日)宣布開始量產(chǎn)第8代V-NAND閃存芯片,堆到了236層。
上一代V-NAND其實(shí)只有176層,已經(jīng)用在了旗艦SSD固態(tài)盤990 PRO上。
關(guān)于第八代V-NAND,有兩點(diǎn)值得一說,一是三星介紹單芯片現(xiàn)在可以做到1Tb,也就是256GB的超大容量。二是這次依然是TLC顆粒(3 bits/cell)。
其實(shí),部分廠商在進(jìn)入到150+層的階段后,開始大肆制造更具成本效益的QLC顆粒,好在這次堅(jiān)守住了底線。
據(jù)悉,第8代V-NAND閃存芯片采用Toggle DDR5內(nèi)部接口,傳輸速度2400Mbps,未來用于PCIe 5.0固態(tài)盤上,典型速度將能達(dá)到12.4GB/s。
因?yàn)樯a(chǎn)效率提升20%,最終的SSD成品模組也有望更便宜。稍稍遺憾的是,三星這次并沒有透露商用產(chǎn)品何時(shí)首發(fā)。
關(guān)鍵詞: 三星介紹單芯片可以做到1Tb 三星介紹單芯片 單芯片可以做到1Tb 單芯片做到1Tb
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