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2023年5月30日，SK海力士宣布，已完成現(xiàn)有DRAM中最為微細化的第五代10納米級（1b）技術(shù)研發(fā)，并將適用其技術(shù)的DDR5服務(wù)器DRAM提供于英特爾公司（Intel?）開始了“英特爾數(shù)據(jù)中心存儲器認證程序（The Intel Data Center Certified memory program）”。此程序是英特爾的服務(wù)器用第四代至強?可擴展平臺*（ Intel? Xeon? Scalable platform）所采用的存儲器產(chǎn)品兼容性的正式認證流程。SK海力士向英特爾提供的DDR5 DRAM產(chǎn)品運行速度高達6.4Gbps（每秒6.4千兆比特），公司技術(shù)團隊實現(xiàn)了目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。與DDR5 DRAM初期階段的試制品*相比，數(shù)據(jù)處理速度提升了33%。另外，公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”*工藝，與1a DDR5 DRAM相比功耗減少了20%以上。SK海力士強調(diào)：“通過1b技術(shù)的研發(fā)成功，將可向全球客戶供應(yīng)高性能與高效能功耗比*兼?zhèn)涞腄RAM產(chǎn)品。”SK海力士DRAM開發(fā)擔當副社長金鍾煥說道：“就如于公司在今年1月將第四代10納米級（1a）DDR5服務(wù)器DRAM適用到英特爾?第四代至強?可擴展處理器（4th Gen Intel? Xeon? Scalable processors），并在業(yè)界首次獲得認證，此次1b DDR5 DRAM產(chǎn)品驗證也會成功完成?！?/p>

上下游廠商“惺惺相惜”猛推新品

當下，存儲芯片市場仍處于低迷狀態(tài)。各大存儲芯片企業(yè)的最新財報顯示，企業(yè)利潤均在下跌。在產(chǎn)業(yè)下行周期，新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生往往會成為振奮市場的關(guān)鍵點。DDR5 DRAM作為存儲領(lǐng)域的新產(chǎn)品，逐漸成為各大企業(yè)競逐的焦點。SK海力士預測，雖然今年上半年的半導體市場情況可能持續(xù)低迷，但下半年會出現(xiàn)好轉(zhuǎn)。隨著市場需求逐漸回升，IT企業(yè)將增加價格大幅下降的存儲芯片使用量。。賽迪顧問集成電路高級分析師楊俊剛對《中國電子報》記者表示，SK海力士推出第四代1α工藝級別的DDR5，單芯片容量高達24Gb，在性能上比前一代DDR5要提升至少70%，功耗最多可降低20%。同時，SK海力士1α工藝級別的DDR5獲得了英特爾中央處理器的兼容認可。在SK海力士收購英特爾的存儲廠后，雙方將進一步加強合作。三星作為DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，占據(jù)DRAM市場40%以上份額，研發(fā)DDR5的速度也比較快。早在2020年2月，三星就宣布成功研發(fā)出DDR5芯片。2022年12月21日，三星宣布利用12納米級制程工藝成功開發(fā)出16Gb DDR5 DRAM，近期與AMD完成了兼容性測試。三星表示，這款產(chǎn)品是業(yè)界最先進的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。據(jù)悉，此次他們推出的16Gb DDR5 DRAM所取得的技術(shù)突破是通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計技術(shù)來實現(xiàn)的。結(jié)合先進的多層EUV光刻技術(shù)，這款產(chǎn)品擁有三星最高的DDR5 Die密度，可使晶圓生產(chǎn)率提高20%，功耗有望節(jié)省約23%，最高支持7.2Gbps的運行速度，這意味著它可以在一秒鐘內(nèi)處理兩部30GB超高清電影。12月22日，三星表示，為了搶占逐漸擴大的DDR5市場，計劃從明年開始批量生產(chǎn)，并向數(shù)據(jù)中心和人工智能等領(lǐng)域客戶供貨。美光則在1月19日宣布推出新一代DDR5內(nèi)存模塊，產(chǎn)品覆蓋DDR5-5200/5600，最高擁有48GB容量的版本。據(jù)悉，美光新一代DDR5內(nèi)存可以支持5200MT/s和5600MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，以及1.1V電壓下的CL46延遲，同時兼容AMD EXPO和英特爾XMP 3.0配置文件。該模塊在與英特爾處理器兼容上性能提升了49%，配置最高可達48GB。記者了解到，美光的新DDR5存儲模塊已在英特爾處理器芯片上完成了認證。美光還與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室，以縮短存儲芯片的驗證周期。楊俊剛指出，從合作對象來看，三大存儲芯片廠商在DDR5方面主要與英特爾和超威半導體服務(wù)器處理芯片供應(yīng)商合作，能夠高效提升處理器芯片和存儲器芯片之間的兼容性。

DDR5全面替代DDR4還要兩至三年TrendForce表示，近三年疫情給服務(wù)器市場帶來了疫情紅利，主要原因有以下三點：首先是個人生活在疫情中的變化，包括居家辦公與遠程學習需求的增加，對數(shù)據(jù)中心的依賴加重；其次是企業(yè)的轉(zhuǎn)型需求，疫情下企業(yè)對網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心要求更高；最后，各國政府對數(shù)據(jù)掌握的敏感度更強，使得過去大型數(shù)據(jù)中心的需求變成了眾多分散而小型化數(shù)據(jù)中心。以上原因都造成了對服務(wù)器需求成長的情況。隨著后疫情時代的來臨，生活恢復正常后將導致個人需求不再那么緊張，但企業(yè)需求的加深帶動了數(shù)字轉(zhuǎn)型的加速。預計2023年之后，企業(yè)韌性投資，也就是維持企業(yè)永續(xù)經(jīng)營的投資將取代數(shù)字轉(zhuǎn)型投資，這使得企業(yè)投資在云端的經(jīng)費將會加重。在這方面的投資將會主要關(guān)注三個點：一是投資的成本效益，二是維持供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，三是節(jié)能減碳與可持續(xù)經(jīng)營的趨勢。在這三個關(guān)注方向下，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器市場將迎來全新且不同的商機。TrendForce指出，因為數(shù)據(jù)中心的算力集中化、邊緣計算落實、5G的商業(yè)化，服務(wù)器會應(yīng)用于元宇宙、自動駕駛或IOT之類的應(yīng)用市場。因此，在此基礎(chǔ)下，2021年到2025年因服務(wù)器需求增長帶動的內(nèi)存增長的數(shù)據(jù)要比PC、智能手機高。另外，原廠從2020年開始就一直關(guān)注服務(wù)器市場，而且預計2025年關(guān)注度將會超過移動市場。至于，服務(wù)器的市場年增率從2020年開始都維持5%的情況，2023年預估因疫情紅利的消退，也些許放緩跡象。而以出貨狀況來看，白牌服務(wù)器市場仍呈現(xiàn)強勁成長，而傳統(tǒng)服務(wù)器大廠以中小型企業(yè)為主，出貨狀態(tài)將會較為平緩。整體來說，雖然過去中國廠商在服務(wù)器市場占有比重不小。不過，在當前大環(huán)境形勢下，2023年中國服務(wù)器廠商的發(fā)展將要較為謹慎。尤其是中國網(wǎng)絡(luò)三大廠呈現(xiàn)營收衰退狀況。所以，在服務(wù)器往云端發(fā)展的趨勢下，傳統(tǒng)服務(wù)器大廠將可能衰退，除了犧牲毛利轉(zhuǎn)型部分代工的聯(lián)想之外。至于，其他中國服務(wù)器大廠，因為著重云端市場的商業(yè)模式與大型云端供貨商的客群，壓力將會比較小。到2025年整體服務(wù)器市況仍將呈現(xiàn)成長，服務(wù)器DRAM投產(chǎn)比重達到40%的歷史新高，取代mobile DRAM成為制造商關(guān)注的重點。其服務(wù)器市場發(fā)展也帶動了新型態(tài)的內(nèi)存模塊之產(chǎn)品整合，讓內(nèi)存企業(yè)開始思考組合型內(nèi)存解決方案，例如因節(jié)能減碳需求所提出的單內(nèi)存架構(gòu)、CXL標準、Arm架構(gòu)服務(wù)器等，新型態(tài)的解決方案可以解決過往服務(wù)器系統(tǒng)的限制，在節(jié)能減碳、降低能耗的情況下，也能實現(xiàn)高效能運算的目標。TrendForce還強調(diào)，除了新標準的支持之外，成本也是目前服務(wù)器使用DRAM要考慮的。雖然DDR5較DDR4說有著顯著的性能提升，但是兩者其中仍有40%的溢價差，這也使得DDR5的使用被延后。需等DRAM國際三大廠在制程微縮、價格的下跌之后才開始推動DDR5普及使用。因此，2023年服務(wù)器CPU如 Intel Sapphire Rapids 與 AMD Genoa 在不但將支持CXL 1.0，還采用DDR5 DRAM模塊，還為了使AI與ML（機器學習） 的運算有效運行，部分服務(wù)器GPU也將導入新一代的HBM3規(guī)格。在內(nèi)存廠商與多家主芯片提供者的規(guī)劃下，新一代內(nèi)存已逐漸問市，期望屆時能陸續(xù)擴大市場滲透率。DDR5要正式取代DDR4成為市場主流，預計要到2025年之后。

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