(資料圖片僅供參考)

5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實現(xiàn)?8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。

根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。

西部數(shù)據(jù)(wd) SN850 BLACK SN850(1TB)

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此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側(cè)向結(jié)晶（MILC）技術(shù)提高通道的結(jié)晶質(zhì)量，再利用尖端的鎳鑄方法來消除硅材料中的雜質(zhì)和缺陷。

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