日本傳來重磅消息！

(資料圖)

據(jù)媒體消息，近日，東京警視廳逮捕了位于茨城縣筑波市的國立研究開發(fā)法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）的中國籍高級主任研究員權(quán)恒道（59 歲）。產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所，是日本國內(nèi)研究尖端技術(shù)的最大規(guī)模研究機構(gòu)。權(quán)恒道涉嫌泄露研究數(shù)據(jù)，他是該研究所領(lǐng)域研究小組中的中心人物。

據(jù)警視廳公安部介紹，權(quán)恒道于2018年4月13日下午4點半左右，將氟化合物合成的相關(guān)研究數(shù)據(jù)，通過電子郵件發(fā)送給了一家境外企業(yè)，涉嫌違反《反不正當競爭法》。該企業(yè)是生產(chǎn)化學(xué)制品的公司，在日本國內(nèi)也有代理公司。

近期，日本和韓國都有動作。據(jù)韓國檢方6月12日發(fā)表聲明，一名三星電子的前高管遭到起訴，罪名是涉嫌竊取該公司的技術(shù)以在境外建立“山寨版”芯片工廠。

權(quán)恒道被抓

日本多家媒體報道稱，15日一名中國籍研究員被日本警方逮捕。逮捕的理由是“違法向境外企業(yè)偷送尖端技術(shù)”。據(jù)悉，這名研究員叫權(quán)恒道，現(xiàn)年59歲。

據(jù)日本警視廳公安部介紹，權(quán)自2002年起在該研究所擔(dān)任研究員。他在2018年4月13日下午4點半左右，將氟化合物合成的相關(guān)研究數(shù)據(jù)，通過電子郵件發(fā)送給了一家境外企業(yè)，涉嫌違反《反不正當競爭法》。該企業(yè)是生產(chǎn)化學(xué)制品的公司，在日本國內(nèi)也有代理公司。

本次開發(fā)的氟化合物合成技術(shù)，是用于生成變壓器等高絕緣性氣體的先進技術(shù)，也與防止全球變暖有關(guān)。公安部認定權(quán)恒道涉嫌泄露的信息屬于商業(yè)秘密。

6月15日，警視廳公安部搜查了其住宅等相關(guān)地點，沒收了資料等。產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所方面向警視廳告知情況，稱蒙受了損失。產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所稱：研究所工作人員因涉嫌違反《反不正當競爭法》被捕，深感遺憾。我們將全力配合警方的調(diào)查，嚴肅處理。

對于警方的調(diào)查，權(quán)恒道否認指控，稱“我可能給公司發(fā)過郵件”，但是郵件內(nèi)容不構(gòu)成商業(yè)秘密。

6月16日，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣西村在內(nèi)閣會議結(jié)束后的例行記者會上表示：非常遺憾，以此種形式出現(xiàn)逮捕者。今后將探討如何加強保護信息安全的措施。

內(nèi)閣官房長官松野在當日例行記者會上，也談及此事?！拔抑喇a(chǎn)綜研一直以來都在整備與信息管理有關(guān)的組織體制與規(guī)則，但從結(jié)果上來說，這次有人被逮捕了，深表遺憾?！彼硎荆瑢佑|機密信息的人采取認定制度，日本政府將組織有識之士對導(dǎo)入該制度進行討論。

去年，日本全國公安機關(guān)破獲侵犯商業(yè)秘密案件29起，是2013年開始統(tǒng)計以來的最高值。所謂商業(yè)秘密，包括獨立開發(fā)的技術(shù)信息和客戶數(shù)據(jù)等。

日本、韓國動作頻頻

環(huán)球網(wǎng)引述日本經(jīng)濟新聞的報道稱，高端技術(shù)情報被透露到國外的事件，近年來在日本層出不窮。其列舉的兩個例子，一個是“2020年1月，在俄羅斯外交官的要求下，軟銀一員工因涉嫌攜帶與通信設(shè)備相關(guān)的機密信息而被警視廳逮捕，同年7月，東京地方法院宣判其有罪”。

另一個是“2021年，積水化學(xué)工業(yè)一員工因向境外企業(yè)泄露智能手機使用的技術(shù)機密信息，而遭到起訴，之后被判有罪”。

日本法律將企業(yè)或組織中的核心技術(shù)上或經(jīng)營上的重要信息，定義為“營業(yè)秘密”，禁止非法取得。一旦違反，將被判處10年以下有期徒刑或2000萬日元以下的罰款。

韓國也有動作。據(jù)韓國檢方6月12日發(fā)表聲明，一名三星電子的前高管遭到起訴，罪名是涉嫌竊取該公司的技術(shù)以在境外建立“山寨版”芯片工廠。韓國水原地方檢察院表示，這位三星電子前高管涉嫌違反《產(chǎn)業(yè)技術(shù)保護法》和《不正當競爭防止法》。

他被指控于2018年至2019年期間，“以不當手法獲取并使用三星電子半導(dǎo)體工廠基本工程數(shù)據(jù)、工藝流程圖、設(shè)計圖等信息”。涉案技術(shù)為用于制造30納米以下動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和閃存芯片（NAND）的制程工藝，屬于國家關(guān)鍵技術(shù)。

此前，美國FBI的“中國行動”計劃就起訴了不少華裔美國學(xué)者、科學(xué)家，指控他們向中國轉(zhuǎn)移高科技機密，但大部分最后都被證明是小題大做或者子虛烏有。美、日、韓的這些動作亦可視為半導(dǎo)體領(lǐng)域“圍堵中國”的部分行動，意在制造緊張氣氛，敲打各大與中國合作的企業(yè)。

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