據(jù)路透社報道,中國正在為國內(nèi)的半導體行業(yè)制定超過1萬億元人民幣(1430億美元)的支持計劃,其中包括補貼和抵稅等政策舉措,對國產(chǎn)設備采購補貼力度有望高達20%。該計劃最早可能在明年第一季度實施。

消息人士評價,這將是中國政府計劃在五年內(nèi)推出其最大的財政激勵,主要是補貼和稅收抵免。大部分財政援助將用于補貼中國的半導體制造廠或晶圓廠購買半導體設備,以支持國內(nèi)的半導體生產(chǎn)和研發(fā)。

本次補貼政策傳言,大大提振了市場對半導體板塊的信心。

(資料圖片僅供參考)

車規(guī)級IGBT供不應求 行業(yè)維持高景氣

目前IGBT和SiC等功率器件逐步迎來收獲期,半導體周期拐點已至,曙光乍現(xiàn)。

IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,它由絕緣柵型場效應管和雙極型三極管兩個部分組成,其兼具MOSFET輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關速度快和BJT通態(tài)電流大、導通壓降低、損耗小等優(yōu)點,是功率半導體未來主要的發(fā)展方向之一。

皇庭國際正在重要投資布局功率半導體領域,目前已對接多家半導體封裝企業(yè)對接洽談未來合作模式,目標首先瞄準進入A00級新能源汽車。

皇庭國際選擇進入A00級新能源汽車,實際上也應該是看到了在整個半導體周期背景下,新能源汽車已成為逆勢窗口產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景。

2021年全球的新能源汽車銷量約672萬臺,平均每輛新能源汽車中的功率器件價值占到了車用半導體器件總價的55%以上。

2020年全球功率半導體市場規(guī)模約為454億美元,IGBT近63億美元。2025年全球IGBT市場規(guī)模有望達到106.55億美元,2021-2025年復合年增速為9.89%。受益于新能源汽車、新能源發(fā)電等需求推動,市場對車規(guī)級IGBT放量的需求仍超出預期,以IGBT為代表的功率器件強勢增長。

在我國目前IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展形勢下,時代大有可為,皇庭國際可大有作為。

致力于擴大內(nèi)需 IDM模式優(yōu)勢盡顯

皇庭國際目前正轉(zhuǎn)型半導體產(chǎn)業(yè),推行“123”戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型規(guī)劃,逐步實現(xiàn)打造涵蓋功率半導體器件從設計、晶圓制造、先進封裝為一體的IDM公司的戰(zhàn)略目標。

對于像功率半導體這類需要更靈活地配合客戶的產(chǎn)品,IDM模式能保證這些公司在產(chǎn)品性能方面的核心競爭力,也更能保證供貨的穩(wěn)定與速度。

以目前中國半導體產(chǎn)業(yè)的情況,IC 設計業(yè)仍受 IP 及經(jīng)驗一定程度的限制,尚需一段時間磨煉,所以IDM模式更符合中國的現(xiàn)狀。相對于代工模式,我國IDM企業(yè)利潤較更高,限制更少,較易生存發(fā)展。隨著我國建立起靈活、活躍的金融證券市場,可以滿足晶圓代工廠技術與擴廠之需求。

中國發(fā)展IDM的意義在于我國擁有廣大的內(nèi)需市場,借助IDM的靈活性,中國半導體企業(yè)可以更好地融入市場。IDM 模式對設計能力的高要求,可以推動中國半導體企業(yè)不斷地推出有特色的產(chǎn)品。

皇庭國際將繼續(xù)依托已投資的德興意發(fā)功率半導體公司,聚焦和深耕功率半導體器件,打造涵蓋功率半導體器件設計、晶圓制造、先進封裝為一體的IDM公司,同時公司也將加快在第三代半導體領域的布局,為中國“芯”國產(chǎn)替代進程“添磚加瓦”。

本文來源：財經(jīng)報道網(wǎng)

關鍵詞： 蓄勢待發(fā) 皇庭國際