自從Intel去年底在12代酷睿首發(fā)支持DDR5標(biāo)準(zhǔn)之后，DDR5內(nèi)存就開始進(jìn)入市場(chǎng)，不過剛開始的時(shí)候大家經(jīng)歷過DDR5大漲價(jià)，甚至有價(jià)無貨的情況，比同級(jí)別DDR4內(nèi)存貴了100-200%。

DDR5內(nèi)存缺貨、漲價(jià)的原因很多，除了三星等廠商剛開始的DRAM芯片生產(chǎn)較少之外，還跟兩個(gè)元件有關(guān)，一個(gè)是PMIC電源管理芯片，其價(jià)格比DDR4上使用的貴了足有10倍，而且供應(yīng)非常緊缺，漫長(zhǎng)的35周采購(gòu)周期，讓產(chǎn)業(yè)鏈和上架都在不斷抬價(jià)，DDR5內(nèi)存的價(jià)格自然就水漲船高。

另一個(gè)是VRM供電模塊，在DDR5標(biāo)準(zhǔn)中它也跟PMIC芯片一樣從主板上轉(zhuǎn)移到了內(nèi)存模組中，雖然也是個(gè)看起來很小的芯片，但也導(dǎo)致了短期內(nèi)DDR5內(nèi)存供應(yīng)跟不上。

現(xiàn)在半年過去了，卡脖子的PMIC及VRM元件問題也在解決，美光CEO Sanjay Mehrotra日前表示，這兩個(gè)元件的可用性都在增加，交付周期也縮短了，成本也降低了。

不過Sanjay Mehrotra沒具體提到PMIC、VRM降價(jià)多少，產(chǎn)量提升多少。

目前來看，DDR5-4800這樣的低頻內(nèi)存條價(jià)格比DDR4-3200內(nèi)存大概高出50%左右，之前的預(yù)期是今年底的時(shí)候還能再降，只會(huì)比DDR4略高一些，價(jià)格就能接受了。

不過高頻率的DDR5內(nèi)存恐怕還會(huì)繼續(xù)在高位支撐，DDR5-6000及以上的內(nèi)存顯然不是主流用戶能隨便買的。

關(guān)鍵詞： DDR5內(nèi)存缺貨 內(nèi)存缺貨 元件降價(jià) VRM元件降價(jià)